RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2631
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link