RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
69
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
69
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1831
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link