RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3419
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link