RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2031
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link