RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2031
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link