RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1927
3415
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link