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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
比较
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
总分
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
总分
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.5
16.6
写入速度,GB/s
7.7
14.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
3415
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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