RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2718
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link