RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3344
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link