RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
77
Wokół strony -328% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3536
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link