RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2828
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link