RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424016 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link