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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation M424016 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation M424016 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
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