RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2855
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link