RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
3288
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link