RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3336
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link