RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3180
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link