RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2126
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link