RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1967
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link