RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1210
2709
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Elpida EBJ21EE8BDFA-DJ-F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link