Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 41
    Intorno -37% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16 left arrow 10
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 10600
    Intorno 2.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.0 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 12.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1210 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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