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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1210
2709
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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