RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1210
2709
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link