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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
総合得点
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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仕様
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考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
41
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
10600
周辺 2.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
30
読み出し速度、GB/s
10.0
16.0
書き込み速度、GB/秒
7.2
12.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
23400
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1210
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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