RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2416
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link