RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2196
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link