RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
54
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1904
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link