RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2196
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link