RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2332
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link