RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3845
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link