RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4324
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link