RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
45
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2362
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link