RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
45
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2362
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link