RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
45
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2362
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link