RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2846
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CM3X8GA1600C11V2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link