RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2846
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link