RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3152
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link