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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3152
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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