RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2664
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link