RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3013
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link