RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3621
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link