RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3621
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link