RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2902
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link