RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2991
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link