RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
96
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1997
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link