RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3279
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link