RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3279
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link