RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3226
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link