RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
77
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
77
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1517
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link