RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
74
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
1616
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link