RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2576
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link