RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2597
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link