RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
48
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
38
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2569
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link